收藏本站
ECH8671
0 μ
1m s
10
10
0m s
n(
Ta
25
° C
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VDS= --6V
ID= --3A
VGS -- Qg
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
ASO
IDP= --30A
ID= --3.5A
DC
op
Operation in this area
e r a
tio
PW ≤ 10 μ s
10
s
m
s
=
)
is limited by RDS(on).
When mounted on ceramic substrate (1200mm 2 × 0.8mm) 1unit
--0.01
--1.0
--0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
--0.1
7
5
--0.01
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
2
3
1.6
1.5
1.4
Total Gate Charge, Qg -- nC IT14580
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14638
1.3
1.2
1.0
0.8
0.6
1u
ni
t
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14639
No. A1456-4/7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ECH8672-TL-H MOSFET P-CH DUAL 20V 3.5A ECH8
ECH8675-TL-H MOSFET P-CH DUAL 20V 4.5A ECH8
EE-1005 CONNECTOR FOR PHOTOSENSORS
EE-SB5 SENSR OPTO TRANS 5MM REFL SOLDER
EE-SF5 SENSR OPTO TRANS 5MM REFL SOLDER
EE-SY110 SENSR OPTO TRANS 5MM REFL TH PCB
EE-SY113 SENSOR OPTO TRANS 4.4MM REFL PCB
EE-SY1200 SENSOR PHOTO ULTRA COMP SMD
相关代理商/技术参数
ECH8672 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ECH8672-TL-H 功能描述:MOSFET PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ECH8673 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications
ECH8673-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ECH8674 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ECH8674_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ECH8674-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH DUAL ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:* 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
ECH8675 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications